Image: Engadget
30 มิ.ย. 2554 - หลังจากผ่านวันเกิดครบรอบ 100 ปีของ IBM ได้ไม่กี่สัปดาห์ นักวิจัยของ IBM ก็พร้อมที่จะประกาศนวัตกรรมเขย่าโลกอีกชิ้นหนึ่ง นั่นคือหน่วยความจำแบบ Phase Change Memory (PCM) แบบใหม่ ที่จะสามารถอ่านและเขียนได้เร็วกว่าหน่วยความจำแบบ Flash ได้ถึง 100 เท่า และยังทนทานต่อการเขียนข้อมูลซ้ำลงไปถึงระดับหลักล้านในขณะที่ Flash อยู่ในระดับหลักพันเท่านั้น นอกจากนี้มันยังมีราคาที่ถูกจนสามารถมีใช้ในระดับเซิร์ฟเวอร์ขององค์กรใหญ่ๆ หรือกระทั่งอยู่ในโทรศัพท์มือถือPCM นั้นผลิตจาก alloy พิเศษที่สามารถบังคับให้เปลี่ยนสถานะทางกายภาพ หรือเฟส (phase) โดยไฟฟ้า ในอดีตเทคโนโลยีมีข้อจำกัดเนื่องจากการที่สถานะ (state) ของมันมีแนวโน้มทีจะเกิดการ relax (ไม่คง state เดิม) และค่าความต้านทานเพิ่มขึ้นเรื่อยๆ เมื่อผ่านการใช้งานไป ซึ่งนำไปสู่การอ่านข้อมูลผิดพลาด อีกหนึ่งข้อจำกัดคือในแต่ละ alloy สามารถเก็บข้อมูลได้เพียงแค่ 1 bit เท่านั้น
แต่ทีมของ IBM สามารถก้าวข้ามข้อจำกัดเหล่านี้และทำให้มันเสถียรขึ้นและยังทำให้สามารถจุข้อมูลได้ถึง 4 ต่อ 1 cell นั่นหมายความว่าเรามีโอกาสจะได้เห็นการเปลี่ยนแปลงของระบบหน่วยความจำในอีก 5 ปีข้างหน้า
ซึ่งเมื่อนำมารวมกับระบบเชื่อมต่อความเร็วสูง 50 Gbps ที่ Intel ประกาศไว้ ซึ่งจะออกมาในช่วงไล่ๆ กัน นั่นจะทำให้ข้อมูลสามารถไหลได้เร็วยิ่งขึ้นไปอีก
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น